氧化镓半导体产业化提速:8英寸衬底获数亿元A轮
2026年8月13日融资观察显示,半导体赛道两笔融资均指向下一代材料。其中,镓仁半导体完成数亿元A轮融资,由方广资本、深创投联合领投,重点推进氧化镓产业化,并已推出全球首款8英寸氧化镓衬底。这标志着第四代半导体材料正从实验室走向量产,国产宽禁带材料迎来产业化关键窗口。
融资概况:方广资本与深创投联合领投
镓仁半导体的数亿元A轮由方广资本、深创投联合领投,资金重点用于推进氧化镓的产业化进程。国资与市场化基金联合加注,体现了对第四代半导体材料路线的认可。
技术突破:全球首款8英寸氧化镓衬底
公司已推出全球首款8英寸氧化镓衬底。衬底尺寸越大,单晶圆可切出的芯片越多、成本越低,8英寸意味着氧化镓具备了迈向规模制造的基础条件,是产业化的重要里程碑。
产业意义:第四代半导体新赛道
氧化镓是继硅、砷化镓、碳化硅之后的第四代半导体材料,具备更高耐压与更低损耗潜力,在功率器件、射频等场景前景广阔。其产业化提速,有望为国产半导体开辟差异化竞争路线。
镓仁半导体关键数据
| 指标 | 数据 |
|---|---|
| 融资轮次 | A轮(数亿元) |
| 领投方 | 方广资本、深创投 |
| 核心产品 | 氧化镓衬底 |
| 产业化进展 | 全球首款8英寸氧化镓衬底 |
| 材料代际 | 第四代半导体 |
FAQ
Q1:什么是氧化镓半导体?
A:氧化镓是第四代半导体材料,相比硅、砷化镓、碳化硅具备更高耐压与更低损耗潜力,主要面向功率器件与射频等高性能场景。
Q2:8英寸衬底为什么重要?
A:衬底尺寸越大,单晶圆可制造的芯片越多、单位成本越低。全球首款8英寸氧化镓衬底的推出,意味着该材料具备了规模制造的基础条件。
Q3:为什么国资与深创投联合领投?
A:氧化镓属前沿硬科技与国产替代方向,兼具技术壁垒与战略价值,国资与市场化基金联合加注有助于加速从研发到量产的跨越。
Q4:氧化镓和碳化硅是什么关系?
A:两者同属宽禁带(第三代及第四代)半导体家族,碳化硅已率先产业化,氧化镓作为更新一代材料,在部分高压场景具备更优的理论性能。
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