三星HBM5锁定2纳米GAA工艺：速度较HBM4E提升50%以上

2026年7月27日，三星电子正式确认下一代HBM5内存将采用GAA结构的2纳米工艺，运行速度比HBM4E提升50%以上。这一技术突破将进一步巩固三星在AI内存领域的竞争力。

核心技术路线

三星半导体事业部技术开发室长具子铉在接受采访时表示，HBM5基础芯片将采用GAA（Gate-All-Around）晶体管结构的2纳米制程，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）。

HBM技术演进对比

三星的先发优势

三星计划基于HBM4的4纳米经验，提前在HBM5中引入2纳米工艺。目前三星代工部门已于去年下半年启动2纳米第一代工艺量产，并计划于今年下半年量产第二代2纳米工艺。

这一时间表领先竞争对手，三星将拓展与移动、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统发展。

AI算力竞赛的关键支撑

HBM内存是AI训练和推理的核心组件。随着大模型参数规模突破万亿级，对内存带宽和容量的需求呈指数级增长。HBM5的50%速度提升，将直接加速AI模型的训练和推理效率。

英伟达、AMD等AI芯片巨头已锁定HBM产能。SK海力士、三星、美光三家厂商的HBM竞争进入白热化阶段。

对中国AI产业的影响

长鑫科技作为中国DRAM龙头，已于7月27日登陆科创板，市值突破3.28万亿元。但HBM技术门槛更高，中国企业仍需追赶。三星HBM5的技术突破，将进一步拉大差距。

FAQ

Q1：GAA工艺相比传统FinFET有何优势？

GAA（Gate-All-Around）环绕栅极技术可提供更好的电流控制和更低的功耗，是2纳米及以下制程的核心技术。

Q2：HBM5速度提升50%意味着什么？

这意味着AI模型训练时间可大幅缩短，推理吞吐量显著提升，对大模型应用有直接价值。

Q3：三星在HBM市场的地位如何？

三星与SK海力士是HBM市场的主要竞争者。三星在先进制程上领先，SK海力士在HBM3E市场份额占优。

Q4：中国企业何时能突破HBM技术？

长鑫科技已量产DRAM，但HBM需要先进封装和特殊工艺。预计中国企业在HBM领域仍需3-5年追赶期。